12 ГБ ОЗУ, 1 ТБ флэш-памяти и не только. Флагманские смартфоны Samsung Galaxy S10 представлены официально
По цене от 56 990 рублей
Компания Samsung представила долгожданные флагманские смартфоны серии Galaxy S10. В неё вошли упрощённый Galaxy S10e, стандартный Galaxy S10, увеличенный Galaxy S10+, в том числе премиальная версия в керамическом корпусе.
Оформившие предварительный заказ с 21 февраля пользователи получат беспроводные наушники Galaxy Buds белого цвета в подарок. В России смартфоны появятся в розничной продаже с 8 марта по таким ценам:
В других регионах также ожидается синяя вариация. В России первое время не будет также вариаций с 512 ГБ флэш-памяти у Galaxy S10 и Galaxy S10+, а также 256 ГБ у Galaxy S10e.
Все модели Galaxy S10 получили экраны Dynamic AMOLED типа Infinity-O с «врезанными» фронтальными камерами. Кроме того, это первые в мире экраны с сертифицированной поддержкой HDR10+.
У моделей Galaxy S10e и Galaxy S10 фронтальная камера одинарная на 10 Мп с диафрагмой F1,9, а у Galaxy S10+ — двойная на 10 Мп с диафрагмой F1,9 и 8 Мп с F2,2.
У Galaxy S10e используется плоский экран диагональю 5,8 дюйма с разрешением Full HD+. У Galaxy S10 и Galaxy S10+ — изогнутый диагональю 6,1 или 6,4 дюйма с разрешением Quad HD+. У Galaxy S10e дактилоскопический датчик расположен на правой грани, как у недавних Sony Xperia, а у Galaxy S10 и Galaxy S10+ ультразвуковой сенсор встроен под экран.
Основная камера у Galaxy S10e только двойная, сочетает широкоугольный модуль на 12 Мп с диафрагмой F1,5/F2,4 и ультраширокоугольный на 16 Мп с диафрагмой F2.2. Есть оптическая стабилизация изображения.
У Galaxy S10 и Galaxy S10+ используется тройная основная камера с двойной оптической стабилизацией изображения. Она сочетает такие модули: телефото на 12 Мп и с F2.4, широкоугольный на 12 Мп с F1.5/F2.4, ультраширокоугольный на 16 Мп с F2,2. Стабилизация видео не оптическая. Есть оптическая в телефото и основной камере (не в ультраширокоугольной), а в видео — программная.
В основе лежит восьмиядерная флагманская SoC Exynos 9820 для всех регионов, кроме США и Китая, где смартфоны выйдут с Snapdragon 855. Младшая модель Galaxy S10e предлагается с 6 или 8 ГБ ОЗУ и 128 или 256 ГБ флэш-памяти, Galaxy S10 и стандартная Galaxy S10+ — 8 ГБ ОЗУ и 128 или 512 ГБ флэш-памяти, премиальная Galaxy S10+ — 8 или 12 ГБ ОЗУ и 512 ГБ или 1 ТБ флэш-памяти. Плюс к этому поддерживаются карточки памяти microSD объёмом до 512 ГБ.
Аккумуляторы — 3100мА·ч, 3400мА·ч и 4100 мА·ч соответственно. Предусмотрена быстрая проводная и беспроводная зарядка Fast Wireless Charging 2.0. Функция беспроводной обратной зарядки PowerShare позволяет заряжать другие устройства с сертификацией Qi, например, смартфоны и наушники.
Galaxy S10 оснащены «интеллектуальным» Wi-Fi с возможностью быстрого переключения между Wi-Fi и LTE. Смартфоны поддерживают новый стандарт Wi-Fi 6 (802.11ax) и LTE со скоростью до 2,0 Гбит/с. Также имеется защита от пыли и влаги IP68.
На смартфоны установлена операционная система Android 9.0 Pie. Galaxy S10e имеет размеры 142,2 x 69,9 x 7,9 мм и весит 150 г, Galaxy S10 — 149,9 x 70,4 x 7,8 мм и 157 г, Galaxy S10+ — 157,6 x 74,1 x 7,8 мм и 175 г, керамический — 198 г. Остался разъём для наушников, имеется порт USB Type-C.
Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона. Вскоре владельцам смартфонов будет доступна память, сопоставимая с объемом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти для своих телефонов.
«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».
eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.
Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
* Справка: Сравнение производительности памяти смартфонов:
Samsung готовит версию Galaxy S10 с накопителем на 1 ТБ
Индийский инсайдер Мукул Шарма (Mukul Sharma) обратил внимание на появление в сертификационных документах китайского регулятора TENAA новых моделей флагманских смартфонов Samsung Galaxy 10 и Galaxy Note 10+. Речь идет о версиях с накопителем на 1 ТБ.
Сообщается о Galaxy S10 с 12 ГБ оперативной памяти и 1 ТБ флэш-памяти. Что касается Galaxy Note 10+ 5G, то в базе данных упоминается модель с тем же объемом накопителя, но с 8 ГБ оперативной памяти.
Дата поступления в продажу и стоимость новых Galaxy S10 не называется.
11 февраля в рамках мероприятия Galaxy Unpacked корейский производитель представит новую флагманскую линейку смартфонов Galaxy S20. По слухам, в нее войдут три гаджета — базовый Galaxy S20, Galaxy S20+ с увеличенной диагональю дисплея и другой конфигурацией камеры, а также топовый Galaxy S20 Ultra. Предположительно, все три устройства получат основную камеру с главным датчиком на 108 МП.
Компания разработала первый мобильный чип по технологии eUFS на 1 ТБ, готовый к массовому производству. Первой моделью с терабайтом памяти на одном чипе может стать Galaxy S10.
Новый чип создан с теми же размерами, что и у предыдущей модели Samsung объемом 512 ГБ. Скорость чтения блока памяти до 1000 мегабайт в секунду. В Samsung говорят, что это в 10 раз больше, чем у обычной карты microSD и вдвое больше, чем обеспечивает стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом SATA.
«Мы ожидаем, что чип сыграет решающую роль в том, чтобы пользователи будущих устройств по функциональности больше ощущали их как ноутбуки», — комментирует вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти Samsung Чеол Чой.
Также чипы позволят осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, сообщается в блоге компании. Происходит это за счет того, что произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее (50 000 IOPS), чем позволяют даже высокопроизводительные карты microSD.
Чипы eUFS от Samsung быстро эволюционировали: за четыре года объем их памяти вырос со 128 ГБ до 1 ТБ.
Компания уже в прошлом году продвигала Galaxy Note 9 как терабайтное устройство, но с оговорками. Внутренней памяти там было 512 ГБ, то есть терабайт нужно было добирать покупкой дополнительной флешки на еще на 512 ГБ.
Ходят слухи, что уже линейка S10 получит версию на 1 ТБ. Также флагманская модель получит 12 ГБ оперативной памяти.
Осенью Samsung показала новую версию чипсета Exynos — 9820. Его будут устанавливать на флагманские модели марки, так что, скорее всего, он составит компанию новому блоку памяти. Чипсет производят по 8-нм техпроцессу FinFET. На одной микросхеме размещен специализированный процессор для обработки ИИ-алгоритмов, два высокопроизводительных ядра ARM Cortex-A75 и четыре энергоэффективных Cortex-A55.
До этого Samsung добилась другого прорыва в производстве микроэлектроники. Компания начала производство микропроцессоров по технологии EUV — фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Ученые пытались применить ее на протяжении 30 лет, теперь она приблизила южнокорейского производителя к 3-нм техпроцессу.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Компания Samsung представила новый тип оперативной памяти. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ.
Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Интерфейс CXL с подключением по шине PCIe 5.0 обеспечивает высокоскоростную связь между устройствами и, благодаря увеличенному объёму памяти, их пропускная способность значительно превосходит возможности существующих систем.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD.
«AMD стремится к обеспечению следующего поколения производительности в облачных и корпоративных вычислениях. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
